原标题：国家存储器基地项目二期在武汉开工 来源：上海证券报

上证报中国证券网讯（记者 李兴彩）6月20日上午，国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新(5.850, 0.07, 1.21%)区未来科技城国家存储器基地建设工地开工建设。

在开工仪式上，紫光集团兼长江存储公司董事长赵伟国介绍了项目情况。

国家存储器基地项目于2016年12月30日开工，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂，总投资240亿美元。其中，一期主要实现技术突破，并建成10万片/月产能；二期规划产能20万片/月，两期项目达产后月产能共计30万片。